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IGBT高温高湿反偏试验箱老化系统

如果您对该产品感兴趣的话,可以
产品名称: IGBT高温高湿反偏试验箱老化系统
产品型号: ES-SP216
产品展商: 易升
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简单介绍

IGBT高温高湿反偏试验箱|H3TRB高温高湿反偏老化系统适用于各种封装的二极管、三极管、MOSFET、桥堆、三端稳压器件和可控硅等分立器件进行高温反偏、高温栅偏的电耐久性试验(HTGB/HTRB)、高温漏电流测试(HTIR)和老化筛选。IGBT高温高湿反偏试验箱|H3TRB高温高湿反偏老化系统全程监测每个试验器件的试验参数,并且绘制出全程 HTGB、HTRB、 HTIR 试验参数曲线,数据可转换成 Excel 表格供用户保存和分析。


IGBT高温高湿反偏试验箱老化系统  的详细介绍

IGBT高温高湿反偏试验箱|H3TRB高温高湿反偏老化系统-易升科技


IGBT高温高湿反偏试验箱老化系统适用于各种封装的二极管、三极管、MOSFET、整流桥堆和可控硅等分立器件进行高温高湿反偏试验(H3TRB);选用进口品牌高温潮湿环境试验箱,试验过程中无结露滴水现象,确保试验顺利进行;我们公司特制的连接器保证了试验的可靠性和系统超长的使用寿命,不仅有效降低使用成本还大大提高了系统的使用效率;配置灵活方便,可以根据实际的使用要求决定是否选装电脑检测系统;系统配套的老化板种类非常齐全,每块老化板都经过特殊的防潮湿处理,使用寿命达到国际优越水平;

IGBT高温高湿反偏试验箱老化系统适用范围:

适用于各种封装形式的二极管、三极管、场效应管、可控硅、IGBT等器件进行高温反偏试验(HTRB)和高温漏流测试试验(HTIR)。

IGBT高温高湿反偏试验箱老化系统主要技术指标和性能:

型 号

IGBT高温高湿反偏试验箱|H3TRB高温高湿反偏老化系统型号ES-SP216

符 合 标 准

MILGJBJEDECGB

试 验 条 件

85%RH85℃(典型);

适 用 范 围

适用于各种半导体器件进行高温高湿反偏试验(H3TRB);

试 验 容 量

16 区×80/=1280位;

老化电源配置

标准配置路,*多可配置16 路;

老化电源规格

50V/5A 100V/3A 200V/2A 300V/1A 300V/2A 可根据需要任意选择;

电源切换装置 (选装件)

电源和老化板之间可以自由切换;

驱 动 检测板

数量:16块(可以根据实际使用要求减少配置); 功能:监测和记录每个被试器件的漏电流参数;

器件保护方式

保护电阻/快速熔断保险丝;

试验状态监测

每区提供80 个测试接口,电脑实时监测各器件的漏电流;

老 化 测试板

采用耐175℃高温的H3TRB 专用高绝缘底板,表面经过专门的防潮湿处理,85%RH 85℃条件下使用寿命可达两年以上(每次试验结束后要及时清洗,祛除表面污垢); H3TRB 可以兼容HTRB 试验;

老 化 测试座

采用耐175℃,100%湿度的高温老化测试座;

老 化 板支架

304 不锈钢材料;

系统外形尺寸

W120cm×D130 cm×H190cm

系统供电要求

输入380V 50HZ,  三相; *大功率:10kw

系 统 总重量

600Kg


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